西安邮电立了大功!中国芯新的突破,美媒:我们封锁什么了?(2)
2023-04-27 来源:飞速影视
6个月后,即在去年12月,在GaN基片上取得了重大进展,这一次GaN基片被制成了4寸。
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3个月后,也就是2月份,他们终于完成了6英寸的砷化镓芯片的制造,而且还是世界上最先进的芯片,这意味着,他们已经超越了美国,成为了世界上最先进的芯片,只要他们继续前进,他们就会站在同一条起跑线上,而现在,他们已经开始追赶了。然而就在一个月后,当西安邮电大学在8寸晶圆上成功制造出了GaN晶圆时,美媒体的反应也是相当的激烈。
为何氧化镓会如此重要?毕竟在第四代半导体中,最著名的就是SiC、GaN这两种材料了。为何要说,这两种材料中,有一种是要优于SiC和SiN的。
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在这个过程中,有一个非常关键的参数就是能带宽度,目前已知的碳化硅的能带宽度为3.25eV,氮化镓的能带宽度为3.4eV,目前的氧化镓的能带宽度为4.9eV,这还不是它的上限,当技术完全成熟时,能带宽度将会达到8eV,因此,氧化镓的能带宽度将会是碳化硅和氮化镓的2-3倍。
从电子产品的性能上来说,它的量损失更低,功率转换效率更高,这就是为什么国际上都在争相研究氧化镓的原因,他是第4代半导体材料的研究的热门。
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