西安邮电立了大功！中国芯新的突破，美媒：我们封锁什么了？(2)

6个月后，即在去年12月，在GaN基片上取得了重大进展，这一次GaN基片被制成了4寸。

3个月后，也就是2月份，他们终于完成了6英寸的砷化镓芯片的制造，而且还是世界上最先进的芯片，这意味着，他们已经超越了美国，成为了世界上最先进的芯片，只要他们继续前进，他们就会站在同一条起跑线上，而现在，他们已经开始追赶了。然而就在一个月后，当西安邮电大学在8寸晶圆上成功制造出了GaN晶圆时，美媒体的反应也是相当的激烈。
为何氧化镓会如此重要？毕竟在第四代半导体中，最著名的就是SiC、GaN这两种材料了。为何要说，这两种材料中，有一种是要优于SiC和SiN的。

在这个过程中，有一个非常关键的参数就是能带宽度，目前已知的碳化硅的能带宽度为3.25eV，氮化镓的能带宽度为3.4eV，目前的氧化镓的能带宽度为4.9eV，这还不是它的上限，当技术完全成熟时，能带宽度将会达到8eV，因此，氧化镓的能带宽度将会是碳化硅和氮化镓的2-3倍。
从电子产品的性能上来说，它的量损失更低，功率转换效率更高，这就是为什么国际上都在争相研究氧化镓的原因，他是第4代半导体材料的研究的热门。