大浪淘沙:一文看懂内存芯片的发展史
2023-04-29 来源:飞速影视
1958年9月12日,来自德州仪器公司的杰克·基尔比(Jack Kilby),成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起,制作了世界上第一块锗集成电路。
次年7月,美国仙童半导体公司的罗伯特·诺伊斯(Robert Norton Noyce),基于硅平面工艺,成功发明了世界上第一块硅集成电路。
![大浪淘沙:一文看懂内存芯片的发展史](http://fs.qqfile.top/re/aHR0cHM6Ly9waWNzMC5iYWlkdS5jb20vZmVlZC82MTU5MjUyZGQ0MmEyODM0ZTk2ZjdhNTZiMDY1ZGJlMTE3Y2ViZmZhLnBuZ0BmX2F1dG8_dG9rZW49YTJhNmNkOTM5ZDdkMTE5MDgyZTQ4MTZkZTQyY2FiZWU1)
杰克·基尔比(左),罗伯特·诺伊斯(右)
正如大家现在所知,这两位大佬的发明,拥有极为重要的意义。集成电路的出现,有力推动了电子器件的微型化,也为芯片时代的全面到来奠定了基础。
█ DRAM的诞生
进入1960年代后,随着计算机技术的发展,电子行业开始了将集成电路技术用于计算机存储领域的尝试。
当时,半导体存储技术被分为ROM和RAM两个方向。ROM是只读存储器,存储数据不会因为断电而丢失,也称外存。而RAM是随机存取存储器,用于存储运算数据,断电后,数据会丢失,也称内存。
今天,我们重点说说RAM这个领域。
1966年,来自IBM Thomas J. Watson研究中心的罗伯特·丹纳德(Robert H. Dennard),率先发明了DRAM存储器(动态随机存取存储器)。
![大浪淘沙:一文看懂内存芯片的发展史](/images/loading.gif)
罗伯特·丹纳德
这种存储器基于“MOS型晶体管 电容结构”,具有能耗低、读写速度快且集成度高的特点。直到现在,我们的计算机内存、手机内存、显卡内存等,都是基于DRAM技术。
1968年6月,IBM注册了晶体管DRAM的专利。但是,正当他们准备进行DRAM产业化的时候,美国司法部启动了对他们的反垄断调查。
本站仅为学习交流之用,所有视频和图片均来自互联网收集而来,版权归原创者所有,本网站只提供web页面服务,并不提供资源存储,也不参与录制、上传
若本站收录的节目无意侵犯了贵司版权,请发邮件(我们会在3个工作日内删除侵权内容,谢谢。)
www.fs94.org-飞速影视 粤ICP备74369512号