大浪淘沙：一文看懂内存芯片的发展史

1958年9月12日，来自德州仪器公司的杰克·基尔比（Jack Kilby），成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起，制作了世界上第一块锗集成电路。
次年7月，美国仙童半导体公司的罗伯特·诺伊斯（Robert Norton Noyce），基于硅平面工艺，成功发明了世界上第一块硅集成电路。

杰克·基尔比（左），罗伯特·诺伊斯（右）
正如大家现在所知，这两位大佬的发明，拥有极为重要的意义。集成电路的出现，有力推动了电子器件的微型化，也为芯片时代的全面到来奠定了基础。
█ DRAM的诞生
进入1960年代后，随着计算机技术的发展，电子行业开始了将集成电路技术用于计算机存储领域的尝试。
当时，半导体存储技术被分为ROM和RAM两个方向。ROM是只读存储器，存储数据不会因为断电而丢失，也称外存。而RAM是随机存取存储器，用于存储运算数据，断电后，数据会丢失，也称内存。
今天，我们重点说说RAM这个领域。
1966年，来自IBM Thomas J. Watson研究中心的罗伯特·丹纳德（Robert H. Dennard），率先发明了DRAM存储器（动态随机存取存储器）。

罗伯特·丹纳德
这种存储器基于“MOS型晶体管 电容结构”，具有能耗低、读写速度快且集成度高的特点。直到现在，我们的计算机内存、手机内存、显卡内存等，都是基于DRAM技术。
1968年6月，IBM注册了晶体管DRAM的专利。但是，正当他们准备进行DRAM产业化的时候，美国司法部启动了对他们的反垄断调查。