大浪淘沙：一文看懂内存芯片的发展史(2)

这些调查拖延了IBM的DRAM产业化进度，从而给其它公司带来了机会。
不久后，1969年，美国加州的Advanced Memory System（先进内存系统）公司捷足先登，成功生产出了世界上第一款DRAM芯片（容量仅有1KB），并将其销售给计算机厂商霍尼韦尔公司（Honeywell）。
霍尼韦尔公司收到这批DRAM芯片后，发现工艺上存在一些问题。于是，他们找到了一家新成立的公司，请求帮助。
这家公司，就是1968年罗伯特·诺伊斯（前文提到的硅集成电路发明人）和戈登·摩尔（摩尔定律的提出者）等人共同创办的英特尔（Intel）。

罗伯特·诺伊斯（左）和戈登·摩尔（右）
英特尔公司成立后，主要业务就是研制晶体管半导体存储器芯片。
当时，半导体工艺主要有两个研究方向，分别是双极型晶体管和场效应（MOS）晶体管。英特尔自己也不知道哪个方向正确，于是，成立了两个研究小组，分别跟进两个技术方向。
1969年4月，双极型小组率先有了突破，推出了64bit容量的静态随机存储器（SRAM）芯片——C3101。这个芯片是英特尔的第一款产品，主要客户就是霍尼韦尔。

Intel C3101
场效应管小组也不甘落后，1969年7月，他们推出了256bit容量的静态随机存储器芯片——C1101。这是世界第一个大容量SRAM存储器。
1970年10月，场效应管小组再接再励，成功推出了自己的第一款DRAM芯片（也被认为是世界上第一款成熟商用的DRAM芯片）——C1103。