新材料专题报告之湿电子化学品行业深度研究(7)

（1）清洗
在集成电路生产中，约有 20%的工序与晶圆清洗有关。集成电路制造过程中的 晶圆清洗是指在氧化、光刻、外延、扩散和引线蒸发等工序之前，采用物理或化学 的方法去除硅片表面的杂质，以得到符合清洁度要求的硅片的过程。晶圆表面的污 染物，如颗粒、有机杂质、金属离子等以物理吸附或化学吸附的方式存在于硅片表 面或自身氧化膜中，晶片生产每一道工序存在的潜在污染，都有可能导致缺陷的产 生和器件的失效，晶圆清洗要求既能去除各类杂质，又不损坏套片。晶圆清洗不同 工序的清洗要求和目的也是各不相同的，这就必须采取各种不同的清洗方法和技术 手段，以达到清洗的目的。

湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位。半导体硅片清洗可分为 物理清洗和化学清洗，化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗。尽管干法 工艺不断发展，且在某些应用中具有独特的优势，但是大多数晶圆清洗工艺还是湿 法，即利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生 化学反应或溶解作用，通常在批浸没或批喷雾系统内对晶圆进行处理，当然还包括 日益广泛使用的单晶圆清洗方法。目前湿法化学清洗技术的趋势是使用更稀释的化 学溶液，辅之以某种形式的机械能，如超声波或喷射式喷雾处理等。晶圆湿法化学 清洗中所用湿法化学品根据工艺不同及加工品质要求的差异，所用的湿法化学品的 品种也不同。一般将充当晶圆清洗作用的湿法化学品其划分为四类品种，即碱性类 溶液、酸性类溶液、SPM 清洗剂、稀释 HF 清洗剂（DHF）。