新材料专题报告之湿电子化学品行业深度研究(8)

（2）光刻和蚀刻
光刻和蚀刻占芯片制造时间的 40%-50%，占制造成本的 30%。在集成电路的 制造过程中，晶圆厂需要在晶圆上做出极微细的图案，而这些微细图案最主要的形 成方式是使用光刻和蚀刻技术。光刻是利用照相技术将掩膜板上图形转移到晶片上 光刻胶层的过程，包括基片前处理、涂胶、前烘、曝光、后烘、显影等步骤。蚀刻 是继光刻之后的又一关键工艺，将光刻技术所产生的光阻图案，无论是线面或是孔 洞，准确无误地转移到光阻底下的材质上以形成整个积体电路所应有的复杂架构。

光刻工序中，基片前处理、匀胶、显影和剥离步骤需要使用湿电子化学品。光 刻所涉及到的光刻胶配套试剂包括用于光刻胶稀释用溶剂、涂胶前用于基片表面处 理的表面处理剂（如六甲基二硅胺烷）、曝光之后的显影剂（四甲基氢氧化铵水溶液）、 去除基片上残余光刻胶的去胶剂（包括硫酸、过氧化氢、N-甲基吡咯烷酮及混合有 机溶剂组成的去胶剂、剥离液等）。