资本热捧的碳化硅和氮化镓究竟是个啥(18)

GaN RF市场即将大放异彩。根据Yole估计，大多数低于6GHz的宏网络单元实施将使用GaN器件，到2023年，GaN RF器件市场规模达到13亿美元。

GaN在电力电子领域与微波射频领域均有优势
GaN在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率。GaN材料的这一特性使得其在消费电子充电器、新能源充电桩、数据中心等领域具有很大的应用前景。
高转换效率：GaN的禁带宽度是Si的3倍，击穿电场是Si的10倍。因此，同样额定电压的GaN开关功率器件的导通电阻比Si器件低3个数量级，大大降低了开关的导通损耗。
低导通损耗：GaN的禁带宽度是Si的3倍，击穿电场是Si的10倍。因此，同样额定电压的GaN开关功率器件的导通电阻比Si器件低3个数量级，大大降低了开关的导通损耗。
高工作频率：GaN开关器件寄生电容小，工作效率可以比Si器件提升至少20倍，大大减小了电路中储能原件如电容、电感的体积，从而成倍地减少设备体积，减少铜等贵重原材料的消耗。