资本热捧的碳化硅和氮化镓究竟是个啥(6)
2023-05-20 来源:飞速影视
SiC产业链:欧美占据关键位置
SiC生产过程分为SiC单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤,对应的是产业链衬底、外延、器件与模组三大环节。
SiC衬底:SiC晶体通常用Lely法制造,国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡,且已经开发出8英寸导电型衬底产品,国内衬底以4英寸为主。由于现有的6英寸的硅晶圆产线可以升级改造用于生产SiC器件,所以6英寸SiC衬底的高市占率将维持较长时间。
SiC外延:通常用化学气相沉积(CVD)方法制造,根据不同的掺杂类型,分为n型、p型外延片。国内瀚天天成、东莞天域已能提供4寸/6寸SiC外延片。
SiC器件:国际上600~1700V SiC SBD、MOSFET已经实现产业化,主流产品耐压水平在1200V以下,封装形式以TO封装为主。价格方面,国际上的SiC产品价格是对应Si产品的5~6倍,正以每年10%的速度下降,随着上游材料器件纷纷扩产上线,未来2~3年后市场供应加大,价格将进一步下降,预计价格达到对应Si产品2~3倍时,由系统成本减少和性能提升带来的优势将推动SiC逐步占领Si器件的市场空间。
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