合肥工大科研团队提出一种简洁易用的MOSFET开关损耗简化计算方法(2)

图1 Pspice仿真电路
该方法考虑了寄生参数的影响，并推导出非线性电容以及跨导系数的取值公式，细分了MOSFET的开关过程，给出开关过程中每个模态转换的标志。为了避免求解复杂微分方程组，采用对电压、电流波形分段线性近似的方式，推导出漏极电流和漏源极电压的上升、下降时间以及简化解析式，得到一种简洁易用的开关损耗计算方法。

图2 本方法结果与Pspice仿真结果比较
研究人员将所提出方法与Pspice模型仿真结果进行对比。所提出方法计算结果可以较好地接近Pspice仿真结果，并能反映出寄生参数变化对于开关损耗的影响趋势。他们指出，相比于已有模型，所提出的方法避免了复杂的微分方程组求解，更加简洁易用。所提出的开关损耗计算方法对于变换器参数优化、PCB布局、散热设计等工程实践具有一定参考价值。
本文编自2021年《电工技术学报》增刊2，论文标题为“考虑寄生参数的功率MOSFET开关损耗简化计算方法”，作者为石新春、马莽原 等。