用钱堆出来的FinFET工艺(3)

1968年7月18日，因为不满仙童半导体（Fairchild Semiconductor）的现状，罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce）和戈登·摩尔（Gordon Moore）选择了离职，并创办诺伊斯-摩尔电子公司（NM Electronic），随后公司支付了15000美元从Intelco公司买下“Intel”名字的使用权，并更名为英特尔公司。50多年来，英特尔写下了无数辉煌。
从1971年，采用10微米（m）制程工艺生产出全球首个微处理器4004，一直到2014年第三代酷睿处理器实现14纳米FinFET工艺量产，英特尔的半导体制程工艺发展之路可谓领业界风骚。作为一家IDM大厂，其主要是生产制造CPU，当然也顺带生产些高品质的FPGA和NAND存储芯片。
在工艺制程方面，英特尔一向以满足最严苛的摩尔定律而闻名，在大幅缩小晶体管体积的同时，还导入全新材料，希望在产品性能提升方面一举超前对手，结果反而在商业化制程推进中落后于台积电和三星。确实，英特尔在工艺研发过程中，一直以世界首创的方式改进制造技术，包括铜互连技术、High-K技术（2007年）、FinFET技术、应变硅技术，现在又在试验钴材料。
英特尔在美国（亚利桑那州、俄勒冈州、新墨西哥州）、爱尔兰、中国、以色列设有多座12英寸晶圆制造厂。除了新墨西哥州负责成熟工艺32纳米和45纳米生产，中国大连FAB68负责存储器芯片生产外，其他工厂都已经全数转进FinFET工艺
目前，22纳米FinFET工艺在亚利桑那州的FAB32/FAB12、俄勒冈州D1C/D1D和以色列FAB28生产，14纳米FinFET工艺先后在俄勒冈州D1X（2014年）、亚利桑那州的FAB42（2015年由FAB32生产）、和爱尔兰的FAB24（2015年）进行生产；而最先进的10纳米FinFET工艺则交由俄勒冈州D1X、以色列FAB28负责制造，每个工艺节点都有两个以上的工厂通过验证，可以确保产品的顺利交货。
英特尔2011年自2011年开始量产第一代22纳米FinFET工艺，首个产品是代号Ivy Bridge的处理器；2014年量产第二代14纳米FinFET工艺，首个产品是代号Broadwell的处理器。
英特尔在2013年的工艺技术规划中，表示2016年将推出10纳米。可由于各种原因，10纳米的研发不用预期。于是14纳米工艺在2014年推出后被不断改进，2016年量产14 ，2017年量产14 ，以弥补10纳米延迟的缺憾。