存储芯片暖风将至

存储芯片具有固有的周期性变化特征，作为主要产品的DRAM和NAND Flash的市场规模也存在着明显的周期性波动。

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存储芯片大跌，是市场规律
从DRAM的价格周期看，自2012 年至今DRAM已经经历了三轮周期。
第一轮周期：2012年Q3至2016年Q2。其中2012年Q3至2014年Q2为周期上行，主要驱动力为智能手机爆发，对 DRAM 的需求增长；2014年Q3至2016年Q2周期下行，主要是因为各厂商扩产落地导致供大于求。
第二轮周期：2016年Q3至2019年Q4。其中2016年Q3至2018年Q2周期上行，主要驱动力为主要的存储芯片厂商转移产能至3D NAND Flash，DRAM 无扩产计划；2018年Q3至2019年Q4周期下行，主要原因是中美贸易摩擦导致全球下游需求萎靡，服务器、PC、笔记本电脑等需求不佳，DRAM供过于求。
第三轮周期：2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2为周期上行，主要驱动力为疫情下，线上经济、居家办公等需求拉动服务器、TV、PC 出货激增， 5G 手机升级驱动单机容量升级，带动 DRAM 价格回升。2021年Q3至今为周期下行，原因是随着智能手机等消费电子需求步入低迷，存储厂商持续去库存。
NAND Flash与DRAM的价格周期波动情况相似，自2012年至今也经历了三轮周期。
第一轮周期：2012年Q3至2015年Q4。其中2012年Q3至2013年Q1为周期上行，主要驱动力为智能手机的需求爆发。2013年Q2至2015年Q4周期下行，主要原因是PC 销售量衰减，导致需求持续疲软，同时各大存储厂新增产能开出，存储芯片整体供大于求。
第二轮周期：2016年Q1至2019年Q4。其中2016年Q1至2017年Q2周期上行，主要驱动力为非苹果智能手机品牌的需求提振但大部分厂商良率爬升普遍较缓，供给下滑严重。2017年Q3至2019年Q4周期下行，主要原因是 厂商 3D NAND 良率提升、大幅扩产，但其他部分如服务器、PC 及平板需求疲软。