存储芯片暖风将至(3)

值得注意的是，三星电子近日通知分销商，将不再以低于当前价格出售DRAM芯片。DRAM现货价格日前停止下跌，明显早于预期。据全球半导体观察DRAMeXchange数据，最常见的DRAM产品之一DDR4 16Gb 2600的现货价格在4月11日上涨0.78%，成为自2022年3月7日以来的首次价格上涨。

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HBM报价大涨、NAND跌幅放缓
存储市场的崩溃主要来自两方面的原因，一方面是供过于求，目前全球存储厂商都在奋力减产并且已有所成效。另一方面则是源于市场需求低迷，伴随着全球经济回暖以及AIGC的拉动，或许有望一扫阴霾迅速回暖。
近日，AIGC大热，对于AI服务器需求大增，而AI服务器所需DRAM容量为常规服务器的8倍，NAND Flash是常规服务器的3倍，直接拉动DRAM和NAND需求大幅增长。2023年服务器使用的DRAM将超过智能手机，成为DRAM的第一大应用场景。
HBM突破了内存容量与带宽瓶颈，被视为新一代DRAM解决方案。据悉，2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单快速增加，价格也水涨船高，近期HBM3规格DRAM价格已上涨5倍。
目前，HBM主要被安装在GPU、网络交换及转发设备（如路由器、交换器）、AI加速器、超级计算机及高效能服务器上，约占整个DRAM市场的1.5%，整体市占率水平尚低。但随着AI技术不断扩大对高算力的需求，HBM销售量有望迎来快速增长。根据TrendForce数据显示，2023—2025年HBM市场CAGR有望成长至40%-45%以上，至2025年市场规模有望达25亿美元，市场需求快速提升。
此外，AI大模型庞大的数据集需要更大容量的NANDFlash存储数据。据悉，GPT-3的参数量已达1750亿个，GPT-4则需要更多。根据TrendForce数据显示，去年第四季度，NAND闪存合约价格大跌20%～25%，今年第一季度NAND闪存均价跌幅有所收敛，至10%～15%，第二季度将继续下跌，但跌幅将放缓至5%～10%。

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相关厂商迎来急单潮
随着存储芯片下游持续消化库存，大厂减产几乎已“减无可减”，加上三星也传出有意调控产能，恐导致存储价格随时反弹，因而出现逢低价大量补货的买气，相关厂商已迎来急单潮。