存储芯片暖风将至(2)

第三轮周期：2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2，NAND Flash 价格处于震荡状态。主要矛盾是中美贸易摩擦对需求形成一定压制与居家办公对消费电子需求的强烈提振。
2021年Q2至今，智能手机等消费电子需求步入低迷，存储厂商持续去库存。
如此看来，DRAM和NAND市场都有天然的周期性，每轮周期时间大约3至4年，这虽然会导致剧烈价格和收益变化 ，但是属于市场波动的正常现象。

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看好下半年？
从2021年下半年至今，DRAM和NAND Flash两大内存芯片价格已经下跌长达20个月。各存储芯片厂商正在集中减产、应对库存问题、节约资本开支，并推迟先进技术的进展，以应对存储器需求的疲软。
为了应对 3DNAND 和 DRAM 内存需求放缓的问题，美光宣布将DRAM和NAND晶圆产量减少约20%，除此之外，美光还宣布将在2023年削减30%的资本开支。
SK 海力士也宣布削减2023年的资本支出50%以上，并对收益较低的存储产品进行减产。随后在今年年初，有台媒报道SK海力士已调降供国内设施使用的晶圆产量10%。
铠侠也做出了减产动作，调整日本四日市和北上NAND Flash晶圆厂的生产，晶圆生产量将减少约30%。
西部数据宣布NAND闪存产量减少30%。
就在近日，三星一改之前坚决不减产的态度，宣布对存储芯片进行减产。三星电子表示，将把内存芯片产量削减至“合理水平”，主要以PC内存“DDR4”等通用产品为中心推进。
随着各家存储器大厂纷纷大幅减产，存储芯片供给端过剩现象将进一步改善。近期，从海外三大存储巨头的预测来看，市场情况正在出现微妙变化。
据美光透露，存储芯片库存已至高点，后续有望迎来行业拐点。虽然目前存储价格仍在下行，但厂商库存压力已达到峰值，后续有望逐步下降至安全水位。
SK海力士日前在股东大会上也透露，预计存储芯片需求将在今年下半年复苏，但不确定性依旧存在，公司今年资本开支将减半，不会进一步减产。
铠侠也认为随着今年中国经济全面重启，客户库存水平逐季降低，市场需求将于今年下半年复苏。
此外，在近日召开的CFMS 2023峰会上，中国存储龙头长江存储的首席运营官程卫华在演讲中也提到，得益于智能手机、服务器和个人电脑制造商的需求订单，全球NAND闪存市场的供需将在今年下半年达到平衡。