大浪淘沙：一文看懂内存芯片的发展史(10)

根据相关机构发布的数据，从2020年下半年开始，到2022年5月，都属于DRAM市场的好转期。
今年6月开始，DRAM行情暴跌。6月份销量下降了36%，7月份又下降了21%，可以说是全面崩盘，惨不忍睹。根据机构预测，四季度跌幅将进一步扩大。

DRAM行情暴跌
接下来，我们再从技术的角度，看看这些年DRAM的发展。
一直以来，DRAM芯片都是以微缩制程的方式，来提高存储密度。
DRAM每一次制程的更新换代，都需要大量的投入。
以30nm更新到20nm为例，后者需要的光刻掩模版数目增加了30%，非光刻工艺步骤数翻倍。对洁净室厂房面积的要求，也随着设备数的上升而增加了80%以上。
以前，这些成本都可以通过单晶圆更多的芯片产出，以及性能带来的溢价，进行弥补。但是，随着工艺制程的不断微缩，增加的成本和收入之间的差距逐渐缩小。
2013年左右，当制程工艺进入20nm之后，制造难度大幅提升。18/16nm之后，继续在二维方向缩减尺寸，已不再具备成本和性能方面的优势。
于是，DRAM芯片厂商开始另辟蹊径，开始研究Z方向的扩展能力。也就是说，开始推进3D封装。
作为行业龙头，三星率先从封装角度实现了3D DRAM。他们采用TSV封装技术，将多个DRAM芯片堆叠起来，从而大幅提升单根内存条容量和性能。后来，各个厂商纷纷跟进，3D DRAM成为主流。
在产品标准方面，行业一般采用由固态技术协会（JEDEC）制定的产品标准，也就是大家熟悉的DDR1-DDR5。