用钱堆出来的FinFET工艺(6)

台积电的7纳米是10纳米的缩小版（shrink），后部金属工艺技术基本兼容，整体密度和性能改进不多。采用DUV加浸没式加多重曝光方案的7纳米于2017年4月开始风险生产，，2018年第三季开始贡献营收，在2018年有40多个客户产品流片，2019年有100多个新产品流片。与10nm FinFET工艺相比，7nm FinFET具有1.6倍逻辑密度，约20%的速度提升和约40%的功耗降低。有两个工艺制程可选，一是针对AP（N7P），二是针对HPC（N7HP）。联发科天玑1000、苹果A13和高通骁龙865都是采用N7P工艺。
台积电第一个使用EUV方案的工艺是N7 。N7 于2018年8月进入风险生产阶段，2019年第三季开始量产，N7 的逻辑密度比N7提高15%至20%，同时降低功耗。
7纳米之后是6纳米（N6）。2019年4月份推出的6纳米是7纳米的（shrink），设计规则与N7完全兼容，使其全面的设计生态系统得以重复使用，且加速客户产品上市时间，但N6的逻辑密度比N7高出18%的。N6将在2020年第一季风险试产，第三季实现量产。
接下来是5纳米（N5）。5纳米于2019年3月进入风险生产阶段，预期2020年第二季拉高产能并进入量产。主力生产工厂是Fab 18。与7纳米制程相较，但5纳米从前到后都是全新的节点，逻辑密度是之前7纳米的1.8倍，SRAM密度是7纳米的1.35倍，可以带来15%的性能提升，以及30%的功耗降低。5纳米的另一个工艺是N5P，预计2020年第一季开始试产，2021年进入量产。与5nm制程相较在同一功耗下可再提升7%运算效能，或在同一运算效能下可再降低15%功耗。
至于3和2纳米，台积电表示已经在研发中，虽然制程细节2020年4月将见分晓。但3纳米和2纳米的工艺建设计划已经公布。3纳米产线将于2020年动工，在新竹宝山兴，建预计投资超过新台币6000亿元兴建3纳米宝山厂，最快2022年底量产。
三星代工（Samsung Foundry）