用钱堆出来的FinFET工艺(7)

三星电子成立于1969年，1974年通过收购韩泰半导体（Hankook Semiconductor）50%的股份，成立半导体事业部，开始进军半导体产业；1979 年收购全资拥有韩泰半导体，并更名三星半导体；1983年正式进军存储器行业，开发出韩国第首个64K DRAM；1988年半导体业务和电子及无线通讯业务合并成立三星电子；2005年开始晶圆代工业务；2017年5月12日，三星电子宣布调整公司业务部门，将晶圆代工业务部门从系统LSI业务部门中独立出来，成立三星电子晶圆代工。
三星进入晶圆代工领域，初始一直瞄准先进工艺，2006年首个客户签约65纳米；2009年45纳米工艺开始接单，同年11月在半导体研究所成立逻辑工艺开发团队，以强化晶圆代工业务；2010年1月首个推出32纳米HKMG工艺。
在推出32纳米工艺后，三星跳过28/22纳米，直接跨入到14纳米工艺，要和晶圆代工老大台积电展开面对面的肉搏。
2014年推出第一代14纳米FinFET工艺，称作14LPE（Low Power Early，低功耗早期），并于2015年成功量产；2016年1月推出第二代14纳米FinFET工艺，称作14LPP（Low Power Plus，低功耗增强），功耗降低15；2016年5月推出第三代14纳米FinFET工艺并量产，称作14LPC；2016年11月推出第四代14纳米FinFET工艺，称为14LPU（Low Power Ultimate，低功耗终极）。并在14纳米的基础上，推出微缩版11LPP。
2016年10月17日，第一代10纳米FinFET工艺量产，称为10LPE，新工艺性能可以提供27%，功耗将降低40%；2017年11月，开始批量生产第二代10纳米FinFET工艺，称为10LPP，性能提高10%，功耗降低15%；2018年6月，推出了第三代10纳米FinFET工艺，称为10LPU，性能再次得以提升，三星电子采用10纳米的三重图案光刻技术（LELELE）。
三星10纳米以下第一个节点本来是7纳米，但是由于7纳米量产受阻，转而在2018年11月率先推出8纳米，8纳米制程的8LPP是10LPP的升级终极版，相比10LPP提升10%效率，减小10%面积。
三星将在7纳米工艺及以下工艺全面使用EUV方案。7LPE已经在2019年4月已经完成验证，2020年2月20日，三星宣布首条EUV方案专用生产线V1投产，表示三星7LPP已经准备好。但是试产和量产是两个不同的过程，如何保证量率和技术迭代，对三星是个挑战，千万不要再犯当年14纳米的错。高通首款5G SoC 单芯片骁龙765 / 765G就是采用7LPP工艺，不过7LPP好像较计划有所推迟。