用钱堆出来的FinFET工艺(8)

三星的5纳米（5LPE）是7纳米（7LPP）工艺缩减（shrink）下来的，后部金属工艺技术基本兼容，尺寸变化不超过10%（等比例缩小是变化30%），密度提高1.3倍，功耗降低20%或将性能提高10%。2020年2月，高通发布的骁龙X60基带芯片就是采用5LPE工艺。
5纳米之后，就是4纳米。三星表示这是最后一次应用FinFET技术，延续5LPE工艺的成熟技术，方便客户升级，4纳米芯片面积更小，性能更高，可以快速达到高良率量产。同时，三星还计划在2020年推出6LPE和4LPE工艺。
4纳米之后就是3纳米。三星表示，3纳米将引入设计的晶体管（GAA-FET）。3纳米制程分3GAE、3GAP两个时代。首发3GAE是第一代GAA技术，根据官方说法，因是全新GAA晶体管结构，三星使用纳米设备制造出MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET），可显著增加晶体管性能，以取代FinFET晶体管技术。此外，MBCFET技术还能兼容现有FinFET制程技术及设备，加速制程开发及生产。2019年三星曾表示，与7纳米制程相比，3纳米制程可将核心面积减少45%，功耗降低50%，整体性能提升35%，预计最快2021年量产。
格芯半导体（Global Foundries）

2018年8月27日（美国西部时间），格芯半导体宣布，为支持公司战略调整，将无限期搁置7纳米FinFET项目，并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方案。由于战略转变，格芯半导体将削减5%的人员，其他技术人员将被部署到14/12纳米FinFET衍生产品和其他差异化产品的工作上。
格芯半导体是由原超微半导体（AMD）的制造业务部门在2009年3月分拆成立，2010年收购了新加坡特许半导体（Chartered），2015年7月完成收购IBM的半导体业务部门，可以说，格芯半导体继承了AMD、特许半导体（Chartered）和IBM的半导体基因，绝对是半导体界的豪门贵族。