用钱堆出来的FinFET工艺(9)

格芯半导体的FinFET工艺原本师承IBM，2012年宣布推出自研的14XM（eXtreme Mobility）技术，进军移动通讯市场，计划在2014年量产；由于技术指标问题，格芯放弃14XM，2014年转而从三星获得14纳米授权，在2015年第一季度14纳米初级版14LPE成功通过了批量生产；三季度性能增强版本（14LPP）获得认证，2016年量产；2017年推出为IBM Z服务器用处理器芯片定制的14HP技术，这是业界唯一将三维FinFET晶体管架构结合在SOI衬底上的技术。
由于AMD转投台积电，导致格芯半导体宣布无限期搁置7纳米工艺研发，事实上，在收购IBM半导体部门，格芯获得了更多的半导体专利及优秀研发人才，充实了自己的研发实力，并成功研发7纳米工艺。根据GF公布的数据，7纳米工艺相比14纳米工艺可以在同样的功耗下提升40%以上的性能，或者同样的性能下减少60%的功耗，同时在核心成本上低了30%，现在出于IP、PDK和良品率的考量，格芯半导体搁置了量产研发。也许哪天，石油爸爸一高兴，就又可以上马7纳米FinFET。
目前看来，格芯半导体的FinFET战略非常明确，基于已验证的14纳米产品，2017年宣布了12纳米工艺（12LP），2018年已经由14LPP顺利过渡至12LP，燧原科技的邃思DTU芯片就是基于12LP工艺生产的，拥有141亿个晶体管；2019年推出12LP 。目前12LP/LP 工艺由位于纽约的最先进晶圆厂FAB8负责制造。
近期传出要给英特尔找格芯半导体寻求14纳米FinFET工艺资源，进行处理器芯片代工的消息。这将对格芯带来一丝好消息。
在此还要提一下，格芯的FDSOI工艺。目前在德国的工厂生产的22FDX和12FDX工艺。有设计公司表示，12FDX的性能（不指晶体管的密度）堪比台积电的N7。
联电（UMC）