用钱堆出来的FinFET工艺(10)

联电的新任管理层在2017年7月表示，联电共同总经理王石表示，在先进制程战争中，联电的客户群缩小，但先进制程每个节点的演进，其产能投资成本愈来愈高，所以很容易发生当联电赶上最新制程时，这项新制程已过了价格最高的黄金时期，因此联电大胆将重点放在成熟制程上。也就意味着联电暂时放弃了对10纳米和7纳米等先进技术的研发，注重在成熟制程上的获利。
联电成立于1980年，为台湾第一家半导体公司，1995年转型晶圆代工，2000年产出业界首批铜制程芯片；2001年开始采用12英寸晶圆；2005年产出业界第一个65纳米制程芯片，2008年采用28纳米制程技术。
2012年联电加入了IBM技术联盟，派遣技术团队前住IBM晶圆厂，并同步台湾R&D晶圆厂，共同开发10纳米FinFET工艺，并借此强化公司内部14纳米FinFET工艺开发，2014年14纳米FinFET制程良率达到预期，并在2017年第三季正式量产，当年取得5000万美元的营收，2018年更是取得营收高达1.5亿美元的佳绩。
时至今日，联电也没有放弃14/12纳米FinFET的研发。王石也表示，投资技术研发相对便宜，联电在14/12纳米FinFET的研发还会继续，由于昂贵的是产能建置，14/12纳米FinFET纳米的产能建置相对就少，未来要不要扩建，一切以财务指标来说话。
中芯国际（SMIC）

中芯国际成立于2000年4月，2001年在上海投产首条8英寸厂生产线，2004年在北京投产首条12英寸生产线。目前在北京、上海、天津 、深圳运营多座先进的晶圆制造生产线。
中芯国际本着一步一个脚印，掌握核心技术，技术延伸一代、研发一代、成熟一代、产业化一代的宗旨，国际化企业的基因加上02重大专项的资金大力支持，中芯国际实现了集成电路技术上的追赶。2001年中芯国际0.25微米首次流片，2008年的110纳米量产，2006年90纳米量产，2010年65纳米量产，2012年55纳米量产，2013年40/45纳米量产。