晶圆代工龙头，中芯国际：产能扩张 技术追赶，国产替代任重道远(17)

3.3. 先进制程：国内唯一先进制程晶圆厂，国产替代及 AI 趋势的奠基者
在半导体制造过程中，MOS 结构选用方面，目前主要有 Planar FET（传统平面型晶体管技术）、FinFET（鳍式场效应晶体管）、GAAFET（环绕栅极技术，包括 MBCFET）三种形式。结构的改进主要用来解决半导体制程不断缩小带来的短沟道效应(DIBL、迁移率退化)、栅极漏电、泄漏功率大等问题。
在成本和效能等多方面的权衡下，Planar FET 主要用于相对成熟制程，FinFET 为 5nm-22nm 的主流结构，GAAFET 结构有望成为 3nm 及以下制程的主流。

FinFET 技术可沿用至 5nm，公司有望加速突破制程。
三星电子 2019 年宣布完成了 5nm FinFET 工艺的研发工作，并宣布将在 3nm 的节点上采用 GAAFET 工艺，意味着 FinFET 结构至少可以沿用到 5nm 的节点，在之后的制程工艺研发上，中芯国际依然可以沿用 FinFET 技术的研发成果，未来制程升级有望加速。
先进制程唯一挑战者，打开未来升级通道。随着先进制程工艺成本不断上升，仅少数厂商能负担转向高级技术节点的费用，先进制程赛道竞争者数量大幅下降。格罗方德于 2018 年宣布暂缓 7 纳米先进制程的开发，联华电子也不再投资 12nm 以下的先进制程，当前只有台积电、三星、英特尔仍留在先进制程赛道上，公司是唯一的先进制程挑战者。