晶圆代工龙头，中芯国际：产能扩张 技术追赶，国产替代任重道远(10)

以光刻环节为例，制程提升，光刻机性能需要持续提升。光刻机的精度决定了制程的精度。
第四代深紫外光刻机 DUV 能实现最小 10nm 工艺节点芯片的生产，更为先进的 EUV 光刻机用于 7/5nm 工艺，高数值孔径 EUV（high-NAEUV）的 EUV 光刻新技术面向 3nm 及更先进的工艺。目前 EUV 光刻机产量有限而且价格昂贵，全球仅 ASML 一家具备生产能力，2022 年全年，ASMLEUV 销量仅为 55 台，单台 EUV 售价高达 2 亿美元。

晶圆代工技术迭代快，利于头部代工厂。芯片制程的演化从 1987 年的 1um 制程持续到最近几年的 12nm、7nm、5nm，都在按照摩尔定律演进。台积电在 2018 年推出 7nm 先进工艺，2020 年开始量产 5nm，2022 年开始量产 3nm，预计 2025 年量产 2nm 工艺。芯片制程工艺已接近物理尺寸的极限 1nm，芯片产业迈入了后摩尔时代。在现在的时间点上来看，摩尔定律仍然在维持，但进一步推动摩尔定律难度会显著提升。

芯片制程进入 90nm 节点以后，技术迭代变快，新的制程几乎每两到三年就会出现。
先进制程不但需要持续的研发投入，也需要持续的巨额资本性支出，而且新投入的设备折旧很快，以台积电为例，新设备折旧年限为 5 年，5 年以后设备折旧完成，生产成本会大幅度下降。头部厂商完成折旧以后会迅速降低代工价格，后进入者难以盈利。