深耕直写光刻领域，芯碁微装：充分受益渗透率及国产化率提升(11)

目前公司 MAS6 设备曝光精度已达 6μm，并正在规划 4μm 设备应对未来市场需求。

3.泛半导体领域需求多样化，公司版图初露峥嵘

3.1.直写光刻设备国产进步较快，已可满足多领域需求
在泛半导体领域，根据是否使用掩膜版，光刻技术可分为直写光刻与掩膜光刻：

1）掩膜光刻：掩膜光刻可分为接近/接触式光刻和投影式光刻。其中投影式光刻技术通过投影原理在使用相同尺寸掩膜版的情况下通过等比例缩小图像能实现更精细的成像；
2）直写光刻：直写光刻根据辐射源可进一步分为激光直写、电子束直写和离子束直写等。其中激光直写光刻技术在光刻精度上弱于掩膜光刻，但无需使用掩膜，并具有套刻精度高、工艺简洁等优点。