深耕直写光刻领域，芯碁微装：充分受益渗透率及国产化率提升(17)

铜电镀工艺的基本制程可分为：镀种子层、镀铜栅线层和镀焊接层。
其中种子层和焊接层的主要作用是防止铜栅线脱离和保护铜栅线避免氧化。在镀铜栅线层环节中，为实现选择性电镀需要先使用光刻设备进行掩膜图形化。
目前光刻是掩膜图形化的主流路线，但在光伏领域有采用激光开槽技术进行掩膜图形化的示例。
直写光刻技术在 PCB 和泛半导体领域已有较长的使用历史，工艺较为成熟。而在光伏领域，根据爱旭股份专利 （CN114551610A），其采用了激光开槽技术在一种背接触电池中进行电镀铜环节的掩膜图形化。
我们认为激光开槽相比光刻技术的主要优点是工序简洁、设备投资额小，更适用于 TOPCon、IBC 等自带介质层的电池结构。
而 HJT 电池由于表面为透明导电薄膜 TCO 层，若采用激光开槽技术需再制备一层介质层，且激光开槽技术易对电池表面造成损伤。
因此相比之下光刻技术在 HJT 电池中或有更好的应用前景。

公司已具备提供用于铜电镀环节的直写光刻量产线的能力。根据公司定增审核问询函回复，公司已在实验室条件下实现应用于 5μm 以下线宽的铜栅线需求的直写光刻设备产业化；同时可提供应用于最小 15μm 线宽的直写曝光量产线，产能达到 6000 片/小时、对位精度±10μm，可用于 HJT、xBC 等高效电池，并适用于 210 尺寸的整片/半片电池片。

4.公司积极扩充产能，布局零部件自主可控

4.1.公司扩充产能，凸显对未来发展信心
公司现有年产 200 台 PCB 系列、30 台泛半导体系列直写光刻设备的产能。同时前次募投项目——晶圆级封装（WLP）直写光刻设备产业化项目仍在建设中，建成后将形成年产 6 台晶圆级封装（WLP）直写光刻设备的产能。
2022 年公司开启定增项目进一步扩充产能。根据公司定增审核问询函回复，公司计划投建项目扩充 130 台 PCB 系列、150 台泛半导体系列直写光刻设备产能，项目建设期为 3 年，第二年开始生产产品，第五年完全达 产。预计上述项目均建成后公司将合计具有年产 330 台 PCB 系列、186 台泛半导体系列直写光刻设备的产能。