光刻机详解二：光学邻近校正，毫厘之间的卡脖子技术！(2)

Pattern成像失真示意图
所以，OPE使得芯片上的图形和掩模上的图形差别较大，例如，线条宽度变窄、窄线条短点收缩、图形拐角处变圆滑等。随着掩膜版上图形尺寸的缩小，这种相邻图形之间的干涉和衍射效应更加明显，曝光后图形的偏差更大。

典型的光学邻近效应
如上图所示，投影系统的孔径和镜头的大小和形状均会造成一部分来自掩膜版（Mask）的特征信息损失，导致了失真。
1.2、OPE导致的具体问题
在半导体图形中，主要包含了：密集线（Dense Line）/密集线隙（Dense Space）、孤立线（Isolated Line）/孤立线隙（IsolatedSpace）、接触孔（Contact Hole）、转角图案（CornerPattern）和T-型图案（T-type Pattern）等。
★密集线：多组单线段所组成，线与线之间会有相等的间距，同时会有密集缝隙的存在。当工艺制程的线宽越来越小之后，也代表着密集线之间的间距越来越小。因此，在光的衍射和干涉的影响下，光学成像之后的OPE也就越严重，最终容易发生桥接线的问题。
★孤立线：为一般常见的单一线段，同时会有孤立缝隙。周围一定的距离内不会有其他物体的存在。因为光的衍射和干涉问题，所以在光学成像之后一样会有光学邻近效应的问题。
★接触孔：主要用于连接其他layer的孔。因为光的衍射和干涉的问题，所以在光学成像之后一样会有光学邻近效应的问题。