光刻机详解二：光学邻近校正，毫厘之间的卡脖子技术！(3)

布局图中常用的图案
此外，当上述几个基础电路图型遇到光学邻近效应时，有可能会造成
关键尺寸偏差（Critical Dimension Offset）、接线架桥（Line Bridging）、线端缩短（Line-end Shorting）、方角钝化（Corner Rounding）的各类型形变失真的影响。
★关键尺寸偏差（Critical Dimension Offset）：因为制程中光的衍射和干涉的问题造成光学邻近效应，导致电路图型的关键尺寸有所偏差。
★接线架桥（Line Bridging）：当在制程中的电路图形的线段越密集，再经过光学邻近效应，会导致电路图型的线与线之间产生原先不存在的线段，就像搭了一座桥一样将邻近的线段连接起来。
★线端缩短（Line-end Shorting）：一般线段在光学制程中最常发生的影响，一条线段的端点在经过制程中衍射光造成的光学邻近效应后，会造成该线段端点的地方缩短的现象。
★方角钝化（Corner Rounding）：因为光学邻近效应，造成了方形的四个尖角产生钝化的现象。

OPE下各类电路图案的失真变形
这些失真如果不纠正，可能大大改变生产出来的电路的电气性能。光学邻近校正通过移动掩模版上图形的边缘或添加额外的多边形来纠正这些错误。根据宽度和间距约束（即基于规则的OPC），或者是通过使用紧凑的模型动态仿真(即基于模型的OPC)的结果预先计算出一个查找表，根据这个查找表来决定怎样移动图案的边缘，找到最好的解决方案。OPC的目标是尽可能的使硅片上生产出的电路与原始的电路一致。
因此，为了解决此些问题，人为地对掩膜版（Mask）上的图形进行修改即光学邻近效应校正OPC（optical proximity correction），以抵消这种棱角钝化或者线宽变细变粗的偏差，使得曝光后的图形符合设计要求。