晶圆厂前世今生(15)

半导体制造业者在 28 纳米制程节点导入的高介电常数金属闸极（High-k Metal Gate, HKMG），即是利用高介电常数材料来增加电容值，以达到降低漏电的目的。
简单讲，HKMG 是由 High-k 绝缘层加上金属栅极来防漏电用的。然而在工艺上又分成 由IBM 为首支持的 Gate-First 、与 Intel 支持的 Gate-Last 两大派。
Gate-Last 顾名思义，是指晶圆制程阶段，先经过离子佈植（将所需的掺杂元素电离成正离子，并施加高偏压使其获得一定的动能，以高速射入硅晶圆）、退火（离子佈植之后会严重地破坏晶圆内硅晶格的完整性，所以随后晶圆必须利用热能来消除晶圆内晶格缺陷、以恢复硅晶格的完整 性）等工序后，再形成 HKMG 栅极。
Gate-First 就是反过来，先形成栅极、再进行离子佈植和退火等后续工法。
还记得我们在【晶圆代工争霸战：台积电VS联电】一文中曾提过，联电和台积电技术的分水岭，在于联电 采 用了 IBM 的技术吗？当初联电便是 采 用了 IBM 基于 Gate-first 的制程技术，才会永远被台积电所超越。
为什么 Gate-Last 会比 Gate First 好？很简单，读者可以想想，如果先形成 HKMG 栅极、再让 High-k 绝缘层和金属等制作栅极的材料经过退火工序的高温，容易影响晶片性能。
台积电原本也是走 IBM 的 Gate-first 技术，但后来在台积电第一战将蒋尚义（号称技术大阿哥 XD）的主导下，在 28 纳米改走 Intel 的 Gate-last 技术。
2011 年第四季，台积电才领先各家代工厂、首先实现了28 纳米的量产，从 40 纳米进展到 28 纳米。
三星原本在 32 纳米制程同样 采 用 Gate-first 技术，后来快速发展出自己的 Gate-Last 28 纳米制程，此后的 14纳米亦皆基于 Gate-Last。很多人会把三星能快速发展出自己的 Gate-Last 技术的大功劳归功于梁孟松。
然而回推2009年，台积电连 40 纳米也都还没多少量、同时 28纳米 HKMG Gate-First 与 Gate-Last 的战役都还没分出胜负，真要说梁孟松对三星的 FinFET 提供关键性的助益… ？