光刻机详解二：光学邻近校正，毫厘之间的卡脖子技术！(6)

2.2、基于模型的光学邻近效应校正法
随着硅片尺寸越来越大，需要校正的光学邻近效应已经不容易用经验法来计算了。取而代之的是必须依靠庞大的计算机辅助设计软件来进行。这就是基于模型的光学邻近效应修正（Model-based OPC），它使用严格的光学模型和光刻胶光化学反应模型来计算曝光后的图形。

边缘放置误差（EPE）
修正软件首先把设计图形的边缘识别出来，让每一个边缘可以自由移动。软件计算出曝光后的图形并和设计的图形对比，它们之间的差别称之为边缘放置误差（EPE），是用来衡量修正质量的指标。修正软件在运行时移动边缘位置，并计算出对应的边缘放置误差。这个过程不断反复，直到计算出的边缘放置误差达到可以接受的值。

边缘放置误差的定义
基于模型的光学邻近效应校正法从90nm 技术节点开始被广泛使用，比基于经验的修正更精确。这种方法的关键是建立精确的光刻模型，包括光学模型和光刻胶模型。一层设计有上千万个图形。一个好的模型不仅要求精度高，而且要求计算速度快，所以服务器的投入又是一笔钱，即使是fabless。
为了减少边缘移动的任意性，降低运算量，边缘上点的位置只能在一个固定的栅格上移动。显然，栅格越小，修正的精度越高，但运算量也就越大。小栅格修正还使用图形边缘更加零碎，增加了制造掩膜版的成本。