光刻机详解二：光学邻近校正，毫厘之间的卡脖子技术！(7)

因此，其优点是准确度较高，缺点是模拟所需时间成本极高（一层图形估计需要几天的计算时间），此外需要庞大的资料量。所以，基于模型的光学邻近修正的关键是建立精确的光刻模型，包括光学模型和光刻胶模型。一层设计有上千万个图形。一个好的模型不仅要求精度高，而且要求计算速度快。

OPC模型修正后及其曝光结果
如上图，在没有修正的情况下，计算出的曝光图形和原始设计要求的相差很大；而修正后的图形被做了很多修改，计算出的曝光图形就和设计的要求很接近了。
2.3、曝光辅助图形（Sub-Resolution Assist Feature,SRAF）
一个设计中通常既有密集分布的图形（如等间距线条），也有稀疏的图形（如独立的线条）。
理论和实验结果都清楚地表明，密集分布图形的光刻工艺窗口与稀疏图形的光刻工艺窗口是不一样的，这就导致了共同的工艺窗口偏小。适用于密集图形曝光的光照条件并不适合稀疏图形的曝光。
因此，在设计中添加曝光辅助图形可以解决这一技术难题。所谓曝光辅助图形是一些很细小的图形，它们被放置在稀疏设计图形的周围，使稀疏图形在光学的角度上看像密集图形。这些辅助图形的最小尺寸必须小于光刻机的分辨率。

曝光辅助图形（1）
在曝光时，它们只对光线起散射作用，而不应该在光刻胶上形成图像。因此，曝光辅助图形也叫亚分辨率的辅助图形（Sub-Resolution Assist Feature,SRAF）。亚分辨率辅助图形最早于90nm 节点时被引入，几乎和基于模型的OPC同时引入。