晶圆厂前世今生(12)

然而IBM的技术强项只限于实验室，在制造上良率过低、达不到量产。
到了 2003 年，台积电 0.13 微米自主制程技术惊艳亮相，客户订单营业额将近 55 亿元，联电则约为 15 亿元。再一次，两者先进制程差异拉大，台积电一路跃升为晶圆代工的霸主，一家独秀。
NVIDIA 执行长兼总裁黄仁勋说：「0.13 微米改造了台积电。」
现在的联电在最高端制程并未领先，策略上专注于 12 吋晶圆的 40 以下纳米、尤其 28 纳米，和 8 吋成熟制程。除了电脑和手机外，如通讯和车用电子晶片，几乎都 采 用成熟制程以控制良率、及提供完善的IC 给予客户。
联电积极利用策略性投资布局多样晶片应用，例如网路通讯、影像显示、PC 等领域，针对较小型 IC 设计业者提供多元化的解决方案，可是说是做到台积电不想做的利基市场。
台积电的 28 纳米制程早在 2011 年第 4 季即导入量产。反观联电 28 纳米制程迟至 2014 年第 2 季才量产，足足落后台积电长达2年半时间。
在28纳米的基础上联电仍得和台积电竞争客户，故在 28 纳米需求疲软时台积电仍能受惠于先进制程、而联电将面临不景气的困境。
近来竞争趋烈， 中芯也已在 2015 年下半量产 28 纳米，故联电计画跳过20纳米，原因在于20纳米制程在半导体上有其物理侷限，可说是下一个节点的过渡制程，效果在于降低功耗，效能上突破不大，因此下一个决胜节点会是16/14纳米制程。
联电预计在 2017 年上半年开始商用生产14纳米 FinFET 晶片，以赶上台积电与三星，然而在随著制程越趋先进，所需投入的资本及研发难度越大，联电无法累积足够的自有资本，形成研发的正向循环，未来将以共同技术开发、授权及策略联盟的方式来弥补技术上的缺口。

晶圆代工争霸战 第三篇 :
台积电VS三星
台积电和联电拉开分水岭的关键，在于 2000 那年联电 采 信了 IBM… 等等！IBM 支持的 Gate-First 技术是哪裡不好？
Intel 说：安安，信我者得永生。IBM 的 Gate-First 太烂，我拥护的 Gate-Last 才是真理！也让后续台积电和三星纷纷从 Gate-First 转向Gate-Last 技术后，彼此在 14 与 16 纳米上继续互搏。